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技術(shù)文章

TECHNICAL ARTICLES

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  • 20248-8
    晶體日記 (十二)-尋找“Q”峰背后的原因(5):無意的無序

    奇怪的Q峰讀書時,老師和師兄們總教導(dǎo)我們要把蛋白提純了再去長晶體。純度越高越好(95%),這樣晶體才能長得漂亮。于是各種層析柱子的提純成了日常較多的工作。而且不光是表觀上SDS-PAGE的純度,我們還要求蛋白盡可能狀態(tài)的均一。甚至在我們的意識里,蛋白是有生命的,越早越快地提純出來,蛋白才是“活”的。于是各種加班加點(diǎn)的穿著棉襖在冷庫里做實(shí)驗(yàn),廢寢忘食都不為過。然而到了工作的時候,接觸到了化學(xué)晶體,卻讓我對結(jié)晶對純度的要求一度十分的困惑,各種純度都有進(jìn)行長晶體的實(shí)驗(yàn)。對純度的要求...

  • 20248-8
    應(yīng)用分享 | FIB-TOF‖高效的TOF-SIMS深度分析

    聚焦離子束(FocusedIonbeam,簡稱FIB)技術(shù)是利用靜電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的顯微切割技術(shù)。離子束轟擊樣品時,其動能會傳遞給樣品中的原子/分子,產(chǎn)生濺射效應(yīng),從而達(dá)到不斷蝕刻,進(jìn)而切割樣品的效果。FIB對固體局部區(qū)域內(nèi)進(jìn)行高精度的切割和加工后,借助飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(Time-of-FlightSecondaryIonMassSpectrometry,簡稱TOF-SIMS),就能實(shí)現(xiàn)對該區(qū)域的原位、高靈敏度的化學(xué)成分分析,從而獲取樣品“由表及里”的豐富...

  • 20248-8
    應(yīng)用分享 | 鈣鈦礦太陽能電池中的能級調(diào)控和改性

    鈣鈦礦材料因具備較長的電子-空穴擴(kuò)散長度、較大的光學(xué)吸收系數(shù)、較強(qiáng)的激子躍遷及可低溫制備等諸多優(yōu)點(diǎn),成為了光伏太陽能領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。以鈣鈦礦材料作為光活性層的太陽能電池器件,由于其簡單的加工工藝和出色的能量轉(zhuǎn)換效率,更是引起了普遍的研究興趣。自2009年報道以來,有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦太陽能電池(PerovskiteSolarCells,PSCs)的效率已超過25%,成為具有潛力的光伏器件之一。然而,PSCs在多種環(huán)境條件下服役的穩(wěn)定性仍未達(dá)到商業(yè)化使用標(biāo)準(zhǔn),PSCs性能的提升及...

  • 20248-7
    衍射數(shù)據(jù)庫卡片:科研工作者的得力助手!

    在材料科學(xué)和物理學(xué)領(lǐng)域,衍射技術(shù)是一種重要的分析工具,用于研究材料的晶體結(jié)構(gòu)、相組成和微觀應(yīng)力等關(guān)鍵性質(zhì)。衍射數(shù)據(jù)庫卡片,作為衍射實(shí)驗(yàn)的重要參考,扮演著至關(guān)重要的角色。這些卡片詳細(xì)記錄了各種已知物質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)衍射圖案,為科學(xué)家和工程師提供了識別和分析未知材料的依據(jù)。該卡片的起源可以追溯到20世紀(jì)初,當(dāng)時科學(xué)家們開始利用X射線衍射分析晶體結(jié)構(gòu)。隨著研究的深入,人們發(fā)現(xiàn)有必要系統(tǒng)地收集和整理各種物質(zhì)的衍射數(shù)據(jù),以便比對和參考。于是,衍射數(shù)據(jù)庫應(yīng)運(yùn)而生,成為科研工作者不可或缺的參考資料...

  • 20247-30
    怎么才能延長X射線三維成像系統(tǒng)的使用壽命

    X射線三維成像系統(tǒng)是實(shí)驗(yàn)室中常用的設(shè)備,主要用于樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析。這種設(shè)備在使用過程中,需要注意養(yǎng)護(hù),以保證其正常工作和使用壽命。以下是一些養(yǎng)護(hù)細(xì)節(jié):1.清潔:X射線三維成像系統(tǒng)的外部和內(nèi)部都應(yīng)保持清潔。外部可以用軟布擦拭,內(nèi)部則需用專用的清潔劑和工具進(jìn)行清潔。特別注意不要讓灰塵和雜質(zhì)進(jìn)入設(shè)備內(nèi)部,否則可能會影響設(shè)備的性能。2.溫度和濕度:設(shè)備應(yīng)存放在溫度和濕度適宜的環(huán)境中。過高或過低的溫度都可能影響設(shè)備的正常工作,濕度過高可能會導(dǎo)致設(shè)備內(nèi)部的電路短路。3.電源:設(shè)備的電源...

  • 20247-24
    晶體日記 (十一)-尋找“Q”峰背后的原因(4):“單選題”or“多選題”

    衍射圖,討論二對于非缺面孿晶導(dǎo)致|Fo|不對的問題,如果我們養(yǎng)成了良好的習(xí)慣:對于所有的晶體都應(yīng)在RLATT里檢查倒易點(diǎn)陣的排列,那么我們就會馬上去發(fā)現(xiàn)晶體的問題。然而除了非缺面孿晶,晶體的問題還包括很多,比如超晶格,調(diào)制結(jié)構(gòu)(周期或者非周期的衛(wèi)星衍射點(diǎn)),彌散的衍射信號等。但是單晶衍射數(shù)據(jù)處理的過程中,通常是基于定出的晶胞對有限的數(shù)據(jù)進(jìn)行還原,而不是所產(chǎn)生的數(shù)據(jù),所以很多被排除在外的信號其實(shí)表示了晶體內(nèi)含的一些結(jié)構(gòu)性質(zhì)。而這些在hkl文件并不會體現(xiàn)出來。從某種意義上說,單晶...

  • 20247-24
    晶體日記 (十)- 尋找“Q”峰背后的原因(3):孿晶有“鬼”

    衍射圖,討論一關(guān)于很多同學(xué)眼中的“鬼峰”,我們看過了“答案”起源于基本的數(shù)據(jù)處理(數(shù)據(jù)還原和數(shù)據(jù)校正)對|Fo|的影響。很多時候在遇到偏大的Q峰的時候,不管是一些審稿人還是學(xué)生,都會馬上去想到“吸收校正”(不知道這個想法起源于何處),然后很多同學(xué)會莫名地把90%的原因歸結(jié)于此。甚至在沒有看過數(shù)據(jù)的情況下,立刻的回答就是去做吸收校正。然而對于常見的莫名其妙的鬼峰的原因,比如晶體和測試的問題,卻常常被忽略。這里面的原因有很多,我相信大多數(shù)同學(xué)拿到手的數(shù)據(jù)都只是hkl,而不是衍射圖...

  • 20247-24
    應(yīng)用分享 | TOF-SIMS在光電器件研究中的應(yīng)用二

    引言寬帶隙鈣鈦礦(1.68eV)是兩端鈣鈦礦/硅疊層太陽電池的重要前電池吸光材料。然而,這類寬帶隙鈣鈦礦太陽電池中存在大量缺陷誘導(dǎo)的非輻射電荷復(fù)合,導(dǎo)致器件開路電壓(VOC)遠(yuǎn)低于理論值,嚴(yán)重限制了器件效率的進(jìn)一步提升。深能級受體缺陷是影響VOC的主要因素,缺陷鈍化是提供器件效率的有效策略。TOF-SIMS應(yīng)用成果近日,陜西師范大學(xué)方志敏&馮江山&劉生忠團(tuán)隊(duì)通過采用氟化物輔助表面梯度鈍化的策略獲得了光電轉(zhuǎn)換效率(PCE)高達(dá)21.63%,VOC達(dá)1.239V(VOC損失低至4...

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